(0)
Изображение служит лишь для справки
H5MS2562JFR-J3M
-
Hynix
-
Неклассифицированные
- -
- DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：60
- Описание пакета：8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
- Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Количество кодовых слов：16000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-30 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：H5MS2562JFR-J3M
- Количество слов：16777216 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：VFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：SK Hynix Inc
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SK HYNIX INC
- Ранг риска：5.82
- Код упаковки компонента：BGA
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.24
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：60
- Код JESD-30：R-PBGA-B60
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：16MX16
- Максимальная высота посадки：1 mm
- Ширина памяти：16
- Плотность памяти：268435456 bit
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Режим доступа：FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Ширина：8 mm
- Длина：10 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
