K524G2GACB-A050

Name: Samsung K524G2GACB-A050
Brand: Samsung
Rating: 4.8 (12 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
DDR DRAM, 64MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA137, 10.5 X 13 MM, 1.2 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-137
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：137
Описание пакета：TFBGA, BGA137,10X15,32
Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Количество кодовых слов：64000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA137,10X15,32
Минимальная температура работы：-25 °C
Время доступа-максимум：5.5 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：K524G2GACB-A050
Количество слов：67108864 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：TFBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.82
Код упаковки компонента：BGA
Код JESD-609：e1
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
Код ТН ВЭД：8542.32.00.32
Подкатегория：Other Memory ICs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：137
Код JESD-30：R-PBGA-B137
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
Блоки питания：1.8 V
Градация температуры：OTHER
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Количество портов：1
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.025 mA
Организация：64MX16
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：0.002 A
Плотность памяти：1073741824 bit
Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
Автоперезапись：YES
Смешанный тип памяти：FLASH+SDRAM
Ширина：10.5 mm
Длина：13 mm

Со склада 0

Итого $0.00000