(0)
Изображение служит лишь для справки
MTD10N10ELT4G
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 10A, 100V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 369C-01
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：MTD10N10ELT4G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.31
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория：FET General Purpose Powers
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：10 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.22 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：35 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
