(0)
Изображение служит лишь для справки
FDZ451PZ
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- WLCSP-4
- Small Signal Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 11519
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Корпус / Кейс：WLCSP-4
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.2 V
- Распад мощности：2.3 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 8 V, + 8 V
- Вес единицы：0.001482 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi / Fairchild
- Зарядная характеристика ворот：6.3 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：140 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：2.6 A
- Описание пакета：GRID ARRAY, S-PBGA-B4
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：FDZ451PZ
- Форма упаковки：SQUARE
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：1.77
- Максимальный ток утечки (ID)：2.6 A
- Пакетирование：Cut Tape
- Код JESD-609：e1
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-PBGA-B4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Тип продукта：MOSFET
- Сопротивление открытого канала-макс：0.14 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.3 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：70 pF
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 11519
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
