Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BLF7G20LS-90P
-
NXP USA Inc.
-
Неклассифицированные
- -
- 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLATPACK, R-CDFP-F4
- Форма упаковки:FLATPACK
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BLF7G20LS-90P
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.72
- Максимальный ток утечки (ID):18 A
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-CDFP-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:L BAND
Со склада 0
Итого $0.00000