Изображение служит лишь для справки
K4S643232H-TC50
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：86
- Описание пакета：TSSOP, TSSOP86,.46,20
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：2000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：TSSOP86,.46,20
- Максимальная температура рефлоу：40
- Время доступа-максимум：4.5 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K4S643232H-TC50
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：200 MHz
- Количество слов：2097152 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：TSSOP
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.65
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Шаг выводов：0.5 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G86
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：3.3 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Максимальный ток подачи：0.17 mA
- Организация：2MX32
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：32
- Ток ожидания-макс：0.002 A
- Плотность памяти：67108864 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
- Обновляющие циклы：4096
- Секвентальный длина импульса：1,2,4,8,FP
- Межстрочный длина пакета：1,2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты