BLF6G10LS-135R

Name: NXP USA Inc. BLF6G10LS-135R
Brand: NXP USA Inc.
Rating: 4.6 (14 reviews)

NXP USA Inc.
Неклассифицированные
-
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Форма упаковки：FLATPACK
Уровни чувствительности к влажности：3
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：30
Температура работы-Макс：225 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BLF6G10LS-135R
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：NXP Semiconductors
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
Ранг риска：5.36
Максимальный ток утечки (ID)：32 A
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：R-CDFP-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：32 A
Минимальная напряжённость разрушения：65 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND

Со склада 0

Итого $0.00000