Изображение служит лишь для справки






BAV99T/R
-
NXP USA Inc.
-
Неклассифицированные
- -
- 0.215A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:3
- Описание пакета:PLASTIC PACKAGE-3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:40
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BAV99T/R
- Максимальная мощность рассеяния:0.25 W
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Максимальное напряжение включения:1.25 V
- Ранг риска:7.8
- Код упаковки компонента:SOT-23
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.70
- Подкатегория:Rectifier Diodes
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс:0.215 A
- Максимальное обратное напряжение:100 V
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Максимальная прямая сила тока в пакете:4 A
- Максимальный обратный ток:1 µA
- Время обратной восстановительной максимальная:0.004 µs
Со склада 0
Итого $0.00000