KM416V4104CS-L6

Name: Samsung KM416V4104CS-L6
Brand: Samsung
Rating: 4.9 (17 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：50
Описание пакета：TSOP2, TSOP50,.46,32
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Количество кодовых слов：4000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：TSOP50,.46,32
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：60 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：KM416V4104CS-L6
Количество слов：4194304 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
Код пакета：TSOP2
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.29
Код упаковки компонента：TSOP2
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
Код ТН ВЭД：8542.32.00.02
Подкатегория：DRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：50
Код JESD-30：R-PDSO-G50
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
Блоки питания：3.3 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：3 V
Количество портов：1
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.11 mA
Организация：4MX16
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：0.0002 A
Плотность памяти：67108864 bit
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：EDO DRAM
Обновляющие циклы：4096
Режим доступа：FAST PAGE WITH EDO
Автоперезапись：YES
Ширина：10.16 mm
Длина：20.95 mm

Со склада 0

Итого $0.00000