(0)
Изображение служит лишь для справки
MTP7N20E
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 7A, 200V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：MTP7N20E
- Время включения макс. (ton)：75.6 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Motorola Mobility LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Время отключения макс. (toff)：84.8 ns
- Ранг риска：5.36
- Максимальный ток утечки (ID)：7 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：7 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.7 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：21 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：74 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：55 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：50 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
