(0)
Изображение служит лишь для справки
2SD1406
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- -
- TRANSISTOR 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Траниционный частотный предел (fT)：3 MHz
- Артикул Производителя：2SD1406
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Inchange Semiconductor Company Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
- Ранг риска：5.75
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальная потеря мощности (абс.)：25 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
- Максимальное напряжение на выходе：1 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：70 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：2 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
