Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

CY62148DV30LL-70SXI

Lagernummer 19

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:32-SOIC
  • Количество терминалов:32
  • Пакет:Bulk
  • Основной номер продукта:CY62148
  • Mfr:Cypress Semiconductor Corp
  • Состояние продукта:Active
  • Типы памяти:Volatile
  • Описание пакета:0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:3
  • Количество кодовых слов:512000
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Максимальная температура рефлоу:20
  • Время доступа-максимум:70 ns
  • Температура работы-Макс:85 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:CY62148DV30LL-70SXI
  • Количество слов:524288 words
  • Номинальное напряжение питания (Вн):3 V
  • Код пакета:SOP
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Rochester Electronics LLC
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Ранг риска:5.65
  • Код упаковки компонента:SOIC
  • Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Серия:MoBL®
  • Код JESD-609:e4
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Конечная обработка контакта:NICKEL PALLADIUM GOLD
  • Технология:SRAM - Asynchronous
  • Напряжение - Питание:2.2V ~ 3.6V
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Количество функций:1
  • Шаг выводов:1.27 mm
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:32
  • Код JESD-30:R-PDSO-G32
  • Квалификационный Статус:COMMERCIAL
  • Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
  • Градация температуры:INDUSTRIAL
  • Напряжение питания минимальное (Vпит):2.2 V
  • Размер памяти:4Mbit
  • Режим работы:ASYNCHRONOUS
  • Время доступа:70 ns
  • Формат памяти:SRAM
  • Интерфейс памяти:Parallel
  • Организация:512KX8
  • Максимальная высота посадки:2.997 mm
  • Ширина памяти:8
  • Время цикла записи - слово, страница:70ns
  • Плотность памяти:4194304 bit
  • Параллельный/Серийный:PARALLEL
  • Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
  • Организация памяти:512K x 8
  • Ширина:11.303 mm
  • Длина:20.4465 mm

Со склада 19

Итого $0.00000