Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
CY7C1399B-10ZC
-
Cypress Semiconductor
-
Неклассифицированные
- 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
- Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
Date Sheet
Lagernummer 607
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:28-TSOP I
- Количество терминалов:28
- Пакет:Bulk
- Основной номер продукта:CY7C1399
- Mfr:Cypress Semiconductor Corp
- Состояние продукта:Active
- Типы памяти:Volatile
- Описание пакета:8 X 13.40 MM, TSOP1-28
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Количество кодовых слов:32000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Время доступа-максимум:10 ns
- Температура работы-Макс:70 °C
- Артикул Производителя:CY7C1399B-10ZC
- Количество слов:32768 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):3.3 V
- Код пакета:TSOP1
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.69
- Код упаковки компонента:TSOP
- Рабочая температура:0°C ~ 70°C (TA)
- Серия:-
- Конечная обработка контакта:NOT SPECIFIED
- Технология:SRAM - Asynchronous
- Напряжение - Питание:3V ~ 3.6V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.55 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:28
- Код JESD-30:R-PDSO-G28
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):3 V
- Размер памяти:256Kbit
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Время доступа:10 ns
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:32KX8
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:8
- Время цикла записи - слово, страница:10ns
- Плотность памяти:262144 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип микросхемы памяти:CACHE SRAM
- Организация памяти:32K x 8
- Ширина:8 mm
- Длина:11.8 mm
Со склада 607
Итого $0.00000