Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
K4S51163PF-PF1L
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:54
- Форма упаковки:GRID ARRAY, FINE PITCH
- Количество кодовых слов:32000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:BGA54,9X9,32
- Минимальная температура работы:-25 °C
- Время доступа-максимум:7 ns
- Температура работы-Макс:70 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:K4S51163PF-PF1L
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):111 MHz
- Количество слов:33554432 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):1.8 V
- Код пакета:FBGA
- Форма упаковки:SQUARE
- Производитель:Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.73
- Подкатегория:DRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:S-PBGA-B54
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Блоки питания:1.8 V
- Градация температуры:OTHER
- Максимальный ток подачи:0.17 mA
- Организация:32MX16
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Ширина памяти:16
- Ток ожидания-макс:0.0006 A
- Плотность памяти:536870912 bit
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:SYNCHRONOUS DRAM
- Обновляющие циклы:8192
- Секвентальный длина импульса:1,2,4,8,FP
- Межстрочный длина пакета:1,2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000