Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
K4D551638F-LC50
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:66
- Описание пакета:TSSOP, TSSOP66,.46
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- Уровни чувствительности к влажности:3
- Количество кодовых слов:16000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:TSSOP66,.46
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:65 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:K4D551638F-LC50
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):200 MHz
- Количество слов:16777216 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):2.5 V
- Код пакета:TSSOP
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.82
- Безоловая кодировка:Yes
- Подкатегория:DRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Шаг выводов:0.635 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-G66
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Блоки питания:2.5 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Максимальный ток подачи:0.38 mA
- Организация:16MX16
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Ширина памяти:16
- Плотность памяти:268435456 bit
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Обновляющие циклы:8192
- Секвентальный длина импульса:2,4,8
- Межстрочный длина пакета:2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000