(0)
Изображение служит лишь для справки
MTB10N40E
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-02, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 76998
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：CASE 418B-02, D2PAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 418B-02
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MTB10N40E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.35
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.55 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：400 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：520 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 76998
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
