(0)
Изображение служит лишь для справки
K6R1008V1D-JC08
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：32
- Описание пакета：SOJ, SOJ32,.44
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Количество кодовых слов：128000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：SOJ32,.44
- Максимальная температура рефлоу：30
- Время доступа-максимум：8 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K6R1008V1D-JC08
- Количество слов：131072 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：SOJ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.69
- Код упаковки компонента：SOJ
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：J BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：225
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：32
- Код JESD-30：R-PDSO-J32
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Блоки питания：3.3 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3 V
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.08 mA
- Организация：128KX8
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：3.76 mm
- Ширина памяти：8
- Ток ожидания-макс：0.005 A
- Плотность памяти：1048576 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：3 V
- Ширина：10.16 mm
- Длина：20.96 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
