(0)
Изображение служит лишь для справки
GT25J101
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- -
- TRANSISTOR 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, TO-3PN, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：400 ns
- Время отключения (toff)：500 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：GT25J101
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Время подъема макс：600 ns
- Ранг риска：5.89
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：25 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：4 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W
- Время падения максимальное (tf)：350 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
