Изображение служит лишь для справки
KM68V2000LTGI-8L
- Samsung
- Неклассифицированные
- -
- Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:32
- Описание пакета:TSOP1, TSSOP32,.56,20
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Количество кодовых слов:256000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:TSSOP32,.56,20
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум:85 ns
- Температура работы-Макс:85 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:KM68V2000LTGI-8L
- Количество слов:262144 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):3.3 V
- Код пакета:TSOP1
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.92
- Код упаковки компонента:TSOP1
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Подкатегория:SRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.5 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:32
- Код JESD-30:R-PDSO-G32
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
- Блоки питания:3.3 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):3 V
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.05 mA
- Организация:256KX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:8
- Ток ожидания-макс:0.000015 A
- Плотность памяти:2097152 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:2 V
- Ширина:8 mm
- Длина:11.8 mm
Со склада 0
Итого $0.00000