Изображение служит лишь для справки
GT50JR22
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- -
- Discrete IGBTs, GT50JR22
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Dimensions：15.5 x 4.5 x 20mm
- Maximum Gate Emitter Voltage：±25V
- Package Type：TO-3P
- Maximum Operating Temperature：+175 °C
- Maximum Collector Emitter Voltage：600 V
- Switching Speed：1MHz
- Package Description：,
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：GT50JR22
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Part Life Cycle Code：Active
- Samacsys Description：Toshiba GT50JR22, IGBT Transistor, 50 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-3P
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.67
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- Channel Type：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты