Изображение служит лишь для справки
2SK1062
- Toshiba
- Неклассифицированные
- -
- TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3F1F, S-MINI, SC-59, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:2SK1062
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:8.73
- Код упаковки компонента:SC-59
- Максимальный ток утечки (ID):0.2 A
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):0.2 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.2 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):18 pF
Со склада 0
Итого $0.00000