Изображение служит лишь для справки

2SK1062

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:2SK1062
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Toshiba America Electronic Components
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:TOSHIBA CORP
  • Ранг риска:8.73
  • Код упаковки компонента:SC-59
  • Максимальный ток утечки (ID):0.2 A
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):240
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):0.2 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:1 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.2 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):18 pF

Со склада 0

Итого $0.00000