Изображение служит лишь для справки
K4R881869A-FCK8
- Samsung
- Неклассифицированные
- -
- Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:92
- Описание пакета:TFBGA, BGA92,10X18,32
- Форма упаковки:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Количество кодовых слов:16000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:BGA92,10X18,32
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум:45 ns
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:K4R881869A-FCK8
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):800 MHz
- Количество слов:16777216 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):2.5 V
- Код пакета:TFBGA
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.92
- Код упаковки компонента:BGA
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:SELF CONTAINED REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.28
- Подкатегория:DRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:92
- Код JESD-30:R-PBGA-B92
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):2.63 V
- Блоки питания:1.8/2.5,2.5 V
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.37 V
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Организация:16MX18
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.08 mm
- Ширина памяти:18
- Плотность памяти:301989888 bit
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:RAMBUS DRAM
- Режим доступа:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
- Автоперезапись:YES
- Ширина:10.5 mm
- Длина:18 mm
Со склада 0
Итого $0.00000