Изображение служит лишь для справки
CY62128DV30L-55ZRI
-
Cypress Semiconductor
-
Неклассифицированные
- 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, REVERSE, TSOP1-32
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：32-RTSOP
- Количество терминалов：32
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：CY62128
- Mfr：Cypress Semiconductor Corp
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：REVERSE, TSOP1-32
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Количество кодовых слов：128000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：55 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CY62128DV30L-55ZRI
- Количество слов：131072 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
- Код пакета：TSOP1-R
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.72
- Код упаковки компонента：TSOP1
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C (TA)
- Серия：MoBL®
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Технология：SRAM - Asynchronous
- Напряжение - Питание：2.2V ~ 3.6V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.5 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：32
- Код JESD-30：R-PDSO-G32
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.2 V
- Размер памяти：1Mbit
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Время доступа：55 ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：128KX8
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：8
- Время цикла записи - слово, страница：55ns
- Плотность памяти：1048576 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Организация памяти：128K x 8
- Ширина：8 mm
- Длина：18.4 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты