CY7C1325G-133BGXC

Name: Cypress Semiconductor CY7C1325G-133BGXC
Brand: Cypress Semiconductor
Rating: 5 (16 reviews)

Cypress Semiconductor
Неклассифицированные
119-BGA
Cache SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：119-BGA
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：119-PBGA (14x22)
Количество терминалов：119
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：CY7C1325
Mfr：Cypress Semiconductor Corp
Состояние продукта：Active
Типы памяти：Volatile
Описание пакета：14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
Форма упаковки：GRID ARRAY
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество кодовых слов：256000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：20
Время доступа-максимум：6.5 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：CY7C1325G-133BGXC
Количество слов：262144 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
Код пакета：BGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.54
Код упаковки компонента：BGA
Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
Серия：-
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：Yes
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
Технология：SRAM - Synchronous, SDR
Напряжение - Питание：3.15V ~ 3.6V
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Шаг выводов：1.27 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：119
Код JESD-30：R-PBGA-B119
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.63 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
Размер памяти：4.5Mbit
Режим работы：SYNCHRONOUS
Частота часов：133 MHz
Время доступа：6.5 ns
Формат памяти：SRAM
Интерфейс памяти：Parallel
Организация：256KX18
Максимальная высота посадки：2.4 mm
Ширина памяти：18
Время цикла записи - слово, страница：-
Плотность памяти：4718592 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：CACHE SRAM
Организация памяти：256K x 18
Ширина：14 mm
Длина：22 mm

Со склада 0

Итого $0.00000