Изображение служит лишь для справки
HM5-8808AB-8
- Harris
- Неклассифицированные
- 28-DIP Module
- SRAM Module, 8KX8, 120ns, CMOS
- Date Sheet
Lagernummer 2843
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:28-DIP Module
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:28-DIP Module
- Количество терминалов:28
- Пакет:Bulk
- Основной номер продукта:HM5-8808
- Mfr:Harris Corporation
- Состояние продукта:Active
- Типы памяти:Volatile
- Форма упаковки:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- Количество кодовых слов:8000
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Время доступа-максимум:120 ns
- Температура работы-Макс:125 °C
- Артикул Производителя:HM5-8808AB-8
- Количество слов:8192 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.78
- Рабочая температура:-55°C ~ 125°C (TA)
- Серия:-
- Конечная обработка контакта:NOT SPECIFIED
- Технология:SRAM - Asynchronous
- Напряжение - Питание:4.5V ~ 5.5V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Количество функций:1
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-XDMA-T28
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
- Градация температуры:MILITARY
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
- Размер памяти:64Kbit
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Время доступа:120 ns
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:8KX8
- Ширина памяти:8
- Время цикла записи - слово, страница:120ns
- Плотность памяти:65536 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип микросхемы памяти:SRAM MODULE
- Организация памяти:8K x 8
Со склада 2843
Итого $0.00000