K6F2016U4D-FF70

Name: Samsung K6F2016U4D-FF70
Brand: Samsung
Rating: 4.6 (11 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：48
Описание пакета：TFBGA, BGA48,6X8,30
Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Количество кодовых слов：128000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA48,6X8,30
Минимальная температура работы：-40 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：70 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：K6F2016U4D-FF70
Количество слов：131072 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
Код пакета：TFBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.82
Код упаковки компонента：BGA
Код JESD-609：e0
Код ECCN：3A991.B.2.A
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Подкатегория：SRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：0.75 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：48
Код JESD-30：R-PBGA-B48
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.3 V
Блоки питания：3 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.7 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.035 mA
Организация：128KX16
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：0.000002 A
Плотность памяти：2097152 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：1.5 V
Ширина：6 mm
Длина：7 mm

Со склада 0

Итого $0.00000