Изображение служит лишь для справки
K4T51163QI-HCF8
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：84
- Описание пакета：FBGA, BGA84,9X15,32
- Форма упаковки：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：32000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA84,9X15,32
- Время доступа-максимум：0.35 ns
- Температура работы-Макс：95 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：K4T51163QI-HCF8
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：533 MHz
- Количество слов：33554432 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：FBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.73
- Код JESD-609：e1
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PBGA-B84
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：1.8 V
- Градация температуры：OTHER
- Максимальный ток подачи：0.205 mA
- Организация：32MX16
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：16
- Ток ожидания-макс：0.008 A
- Плотность памяти：536870912 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：4,8
- Межстрочный длина пакета：4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты