Изображение служит лишь для справки
HAT2085R-EL-E
- Renesas
- Неклассифицированные
- -
- Nch Single Power MOSFET 200V 2A 640mohm SOP8
- Date Sheet
Lagernummer 1857
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:PRSP0008DD-D8
- Максимальная температура рефлоу:20
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:HAT2085R-EL-E
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:7.25
- Код упаковки компонента:SOP
- Максимальный ток утечки (ID):2 A
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):2 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.64 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2.5 W
Со склада 1857
Итого $0.00000