(0)
Изображение служит лишь для справки
K4B1G0446E-HCH9
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- DDR DRAM, 256MX4, 0.125ns, CMOS, PBGA78,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：78
- Форма упаковки：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：256000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA78,9X13,32
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：0.125 ns
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：K4B1G0446E-HCH9
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：667 MHz
- Количество слов：268435456 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.5 V
- Код пакета：FBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.84
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PBGA-B78
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：1.5 V
- Максимальный ток подачи：0.225 mA
- Организация：256MX4
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：4
- Плотность памяти：1073741824 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：4,8
- Межстрочный длина пакета：4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
