K4B2G0446D-HYH9

Name: Samsung K4B2G0446D-HYH9
Brand: Samsung
Rating: 4.6 (8 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
DDR DRAM, 512MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：78
Описание пакета：TFBGA, BGA78,9X13,32
Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Количество кодовых слов：512000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA78,9X13,32
Время доступа-максимум：0.255 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：K4B2G0446D-HYH9
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：667 MHz
Количество слов：536870912 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.35 V
Код пакета：TFBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.4
Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
Подкатегория：DRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PBGA-B78
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.45 V
Блоки питания：1.35 V
Градация температуры：OTHER
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.283 V
Количество портов：1
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.125 mA
Организация：512MX4
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：4
Ток ожидания-макс：0.01 A
Плотность памяти：2147483648 bit
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
Обновляющие циклы：8192
Секвентальный длина импульса：8
Межстрочный длина пакета：8
Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
Автоперезапись：YES
Ширина：7.5 mm
Длина：11 mm

Со склада 0

Итого $0.00000