K4E160811C-BL60

Name: Samsung K4E160811C-BL60
Brand: Samsung
Rating: 4.7 (16 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：28
Описание пакета：SOJ, SOJ28,.34
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Количество кодовых слов：2000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：SOJ28,.34
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：60 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：K4E160811C-BL60
Количество слов：2097152 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
Код пакета：SOJ
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.92
Код упаковки компонента：SOJ
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
Код ТН ВЭД：8542.32.00.02
Подкатегория：DRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：J BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：1.27 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：28
Код JESD-30：R-PDSO-J28
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Блоки питания：5 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
Количество портов：1
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.1 mA
Организация：2MX8
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：3.76 mm
Ширина памяти：8
Ток ожидания-макс：0.00025 A
Плотность памяти：16777216 bit
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：EDO DRAM
Обновляющие циклы：2048
Режим доступа：FAST PAGE WITH EDO
Автоперезапись：YES
Ширина：7.62 mm
Длина：18.42 mm

Со склада 0

Итого $0.00000