(0)
Изображение служит лишь для справки
1MBH03D-120
-
Fuji
-
Неклассифицированные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：270 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：1MBH03D-120
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fuji Electric Co Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：FUJI ELECTRIC CO LTD
- Время подъема макс：600 ns
- Ранг риска：5.81
- Код упаковки компонента：TO-3PL
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：80 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：5.5 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8.5 V
- Время падения максимальное (tf)：500 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
