(0)
Изображение служит лишь для справки
MTP3N100E
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 3A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MTP3N100E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Motorola Semiconductor Products
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Ранг риска：5.72
- Максимальный ток утечки (ID)：3 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：4 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：9 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：245 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
