(0)
Изображение служит лишь для справки
BC817-25LT1
-
ON Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Date Sheet
Lagernummer 2042
- 1+： $0.05560
- 10+： $0.05245
- 100+： $0.04948
- 500+： $0.04668
- 1000+： $0.04404
Zwischensummenbetrag $0.05560
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45 V
- Минимальная частота работы в герцах：160
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：45 V
- Статус жизненного цикла производителя：OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：500 mA
- Основной номер продукта：BC817
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Obsolete
- Описание пакета：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 318-08
- Максимальная температура рефлоу：30
- Рохс Код：No
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Артикул Производителя：BC817-25LT1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.61
- Код упаковки компонента：SOT-23
- Пакетирование：Tape and Reel
- Рабочая температура：-
- Серия：-
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：300 mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：500 mA
- Частота：100 MHz
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：300 mW
- Мощность - Макс：300 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：100 MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45 V
- Максимальный ток сбора：500 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 100mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45 V
- Частота перехода：100 MHz
- Частота - Переход：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：160
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 2042
- 1+： $0.05560
- 10+： $0.05245
- 100+： $0.04948
- 500+： $0.04668
- 1000+： $0.04404
Итого $0.05560
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
