(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE2402
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Вес：72.574779 g
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：20 V
- РХОС：Compliant
- Артикул Производителя：NTE2402
- Производитель：NTE Electronics
- Эмиттер-основное напряжение：3(V)
- Формат упаковки：SOT-23
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：20(V)
- Диапазон рабочей температуры：-65C to 150C
- Коллекторный ток (постоянный)：0.1(A)
- Количество элементов：1
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：25mA
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：5000 MHz
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.16
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Тип：NPN
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：200 mW
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：15 V
- Максимальный ток сбора：25 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：25 @ 14mA, 10V
- Увеличение：18dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：15V
- Частота - Переход：5GHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：2 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.025 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：15 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：2.4dB @ 500MHz
- Коэффициент усиления мощности：11.5(dB)
- Ширина：76.2 mm
- Высота：12.7 mm
- Длина：152.4 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
