Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BS850/E9
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- RoHS：Non-Compliant
- Package Description：PLASTIC PACKAGE-3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BS850/E9
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Vishay Semiconductors
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：VISHAY SEMICONDUCTORS
- Risk Rank：8.57
- Part Package Code：SOT-23
- Drain Current-Max (ID)：0.25 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：310 W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- Continuous Drain Current (ID)：250 A
- JEDEC-95 Code：TO-236AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：60 V
- Drain-source On Resistance-Max：5 Ω
- Drain to Source Breakdown Voltage：60 V
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Drain to Source Resistance：5 Ω
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты