(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSP129L6327XT
Изображение служит лишь для справки
BSP129L6327XT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：BSP129L6327XT
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：0.35 A
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Время подъема：4.1 ns
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：350 mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Сопротивление открытого канала-макс：6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：1.4 A
- Минимальная напряжённость разрушения：240 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
