Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK3017(F)
Изображение служит лишь для справки
2SK3017(F)
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CH 900V 8.5A 2-16F1B
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Through Hole
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- RoHS：Compliant
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：2SK3017(F)
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Part Life Cycle Code：End Of Life
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：6.99
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-55 °C
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Max Power Dissipation：90 W
- Reach Compliance Code：unknown
- Configuration：Single
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90 W
- Rise Time：25 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：900 V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Continuous Drain Current (ID)：8.5 A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30 V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8.5 A
- Drain to Source Breakdown Voltage：900 V
- Input Capacitance：2.15 nF
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：90 W
- Drain to Source Resistance：1.25 Ω
- Rds On Max：1.25 Ω
- Radiation Hardening：No
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты