IPP65R310CFDAXK

Name: Infineon IPP65R310CFDAXK
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (7 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Non-Compliant
Прямоходящий ток вывода Id：11.4
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IPP65R310CFDAXK
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.16
Максимальный ток утечки (ID)：11.4 A
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.31 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：34.4 A
Минимальная напряжённость разрушения：650 V
Канальный тип：N
Рейтинг энергии лавины (Eas)：290 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000