Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRHNJ9130
Изображение служит лишь для справки
IRHNJ9130
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Количество элементов：1
- РХОС：Non-Compliant
- Время отключения：70 ns
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Каналов количество：1
- Распад мощности：75 W
- Время задержки включения：30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：-100 V
- Непрерывный ток стока (ID)：-11 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-100 V
- Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
- Сопротивление стока к истоку：340 mΩ
- Высота：3.12 mm
- Корпусировка на излучение：Yes
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты