BF2030WE6327

Name: Infineon BF2030WE6327
Brand: Infineon
Rating: 5 (19 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-343, 4 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Compliant
Описание пакета：SOT-343, 4 PIN
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BF2030WE6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.63
Код упаковки компонента：SC-82
Максимальный ток утечки (ID)：0.04 A
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DUAL GATE, DEPLETION MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：0.04 A
Минимальная напряжённость разрушения：10 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Уголок мощности-минимум (Гп)：20 dB

Со склада 0

Итого $0.00000