(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP80N03MLE-S18-AY
Изображение служит лишь для справки
NP80N03MLE-S18-AY
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- NP80N03MLE-S18-AY
Date Sheet
Lagernummer 407
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Время отключения：60 ns
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A (Tc)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta), 120W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Описание пакета：LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PRSS0004AN-A3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NP80N03MLE-S18-AY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.43
- Код упаковки компонента：MP-25K
- Максимальный ток утечки (ID)：80 A
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：175°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Максимальная потеря мощности：1.8 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：20 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7mOhm @ 40A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3900 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：72 nC @ 10 V
- Время подъема：12 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：80 A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：80 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.011 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：320 A
- Входной ёмкости：3.9 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：400 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：120 W
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：7 mΩ
Со склада 407
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
