Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 4772

  • 1+: $1.25012
  • 10+: $1.17936
  • 100+: $1.11260
  • 500+: $1.04963
  • 1000+: $0.99021

Zwischensummenbetrag $1.25012

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:1 Week
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Compliant
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:Renesas Electronics America Inc
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T3
  • Форма упаковки:IN-LINE
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:2SK2329L-E
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Renesas Electronics Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
  • Ранг риска:5.28
  • Максимальный ток утечки (ID):10 A
  • Серия:*
  • Код JESD-609:e6
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN BISMUTH
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSIP-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):10 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.06 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:40 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):20 W

Со склада 4772

  • 1+: $1.25012
  • 10+: $1.17936
  • 100+: $1.11260
  • 500+: $1.04963
  • 1000+: $0.99021

Итого $1.25012