Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSB017N03LX3GXT
Изображение служит лишь для справки
BSB017N03LX3GXT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, CANPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Покрытие контактов：Tin
- Количество контактов：7
- РХОС：Compliant
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Время подъема：6.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：32 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты