2SK2599

Name: Toshiba 2SK2599
Brand: Toshiba
Rating: 4.6 (7 reviews)

Toshiba
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
TRANSISTOR 2 A, 500 V, 3.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-8M1B, 3 PIN, FET General Purpose Power
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
Форма упаковки：IN-LINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2SK2599
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Lifetime Buy
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Ранг риска：5.38
Максимальный ток утечки (ID)：2 A
Безоловая кодировка：No
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：2 A
Максимальный сливовой ток (ID)：2 A
Сопротивление открытого канала-макс：3.2 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：12 A
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：112 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.3 W

Со склада 0

Итого $0.00000