2SJ349

Name: Toshiba 2SJ349
Brand: Toshiba
Rating: 4.7 (8 reviews)

Toshiba
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
TRANSISTOR 20 A, 60 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
Date Sheet

Lagernummer 2

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2SJ349
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Ранг риска：8.79
Код упаковки компонента：SC-67
Максимальный ток утечки (ID)：20 A
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Время подъема：15 ns
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：20 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Максимальный сливовой ток (ID)：20 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.09 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：80 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：800 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：35 W
Корпусировка на излучение：No

Со склада 2

Итого $0.00000