(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7326D2
Изображение служит лишь для справки
IRF7326D2
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Монтаж：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Contains lead / RoHS non-compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.6A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
- Номинальное напряжение (постоянное)：-30 V
- РХОС：Compliant
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：FETKY™
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：2 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Моментальный ток：-3.6 A
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100 mOhm @ 1.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：440pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Входной ёмкости：440 pF
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
- Rds на макс.：100 mΩ
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
