(0)
Изображение служит лишь для справки
MG100J2YS45
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：MG100J2YS45
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.82
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：100 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.5 V
- Время падения максимальное (tf)：1000 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
