Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ380
Изображение служит лишь для справки
2SJ380
- Toshiba
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.32 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
- Date Sheet
Lagernummer 7
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Compliant
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:2SJ380
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Описание Samacsys:MOSFET 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.84
- Код упаковки компонента:SC-67
- Максимальный ток утечки (ID):12 A
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Время подъема:18 ns
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):12 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Максимальный сливовой ток (ID):12 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.32 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:48 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):312 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):35 W
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 7
Итого $0.00000