(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFR3411TRLPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFR3411TRLPBF
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный ток утечки (ID)：32 A
- Код упаковки компонента：TO-252AA
- Ранг риска：5.11
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Количество элементов：1
- Производитель：International Rectifier
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：IRFR3411TRLPBF
- Рохс Код：Yes
- Температура работы-Макс：150 °C
- Максимальная температура рефлоу：30
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN OVER NICKEL
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：32 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.044 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：110 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：185 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：130 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
